Beskrivning
QFET power MOSFET
Mycket låg Rds vilket medför låg effekt över transistorn (lågt spänningsfall)
Specifikationer
| Typ | FQP47P06 | |
|---|---|---|
| Kapsling | TO-220-3 |
|
| tillverkargaranti | ON Semiconductor | |
| Tillv. -förk. | OnS |
|
| Utförande | P-Kanal |
|
| I(d) | 47 A |
|
| U<sub>BR DSS</sub> | 60 V | |
| Prestanda (max) P(TOT) | 160 W |
|
| R(DS)(on) | 26 mΩ |
|
| R(DS)(on) referensström | 23.5 A |
|
| R(DS)(on) referensspänning | 10 V |
|
| U(GS)(th) max. | 4 V |
|
| U(GS)(th) referensström max. | 250 µA | |
| Q(G) | 110 nC | |
| Q(G) referensspänning | 10 V | |
| C(ISS) | 3600 pF |
|
| C(ISS) referensspänning | 25 V | |
| Driftstemperatur (Min) | -55 °C |
|
| Monteringssätt | Genomföringshål |
|
| Serie | QFET® | |
| Driftstemperatur (max.) | +175 °C |
|
| Transistor egenskaper | Standard |
|
| U(DSS) | 60 V |
|
| Kanaler | 1 | |
| Typ av produkt | MOSFET |
Recensioner
Det finns inga recensioner än.