ALLA PRISER INKL MOMS

FQP3N30 Effekt QFET MOSFET, N Kanal, 300 V, 3.2 A, 1.65 ohm, TO-220

11,00 kr

96 i lager

Artikelnr: TRA-FQP3N30 Kategori:

Beskrivning

HEXFET power MOSFET

Polaritet: N
Drain-source-spänning (VDSS ) : 300 V
Drain-ström (ID): 3,2 A
On-resistans (RDS (ON)) : 1,65 Ω
Förlusteffekt (PD): 52 W
Återhämtningstid (trr): 120 ns
Kapsel: TO-220
RoHS Compliant: Ja

Komplementär: FQP3P20

Passar som ersättare för IRF640 i många applikationer

DATABLAD

Varumärke

ON SEMICONDUCTORS

Du gillar kanske också…