Beskrivning
BDX53B EFFEKT DARLINGTON
The BDX53B is a NPN complementary power Darlington Transistor manufactured in Planar Base Island technology. It offers monolithic Darlington configuration with integrated anti-parallel collector-emitter diode.
Polaritet: NPN
Spänning kollektor-emitter (VCEO ): 80 V
Kollektorström (IC): 8 A
Förlusteffekt (PDmax): 60 W
hFEmin: 750
hFEmax:
Övergångsfrekvens (fT): Mhz
Kapsel: TO-220
Komplementär: BDX54B
RoHS Compliant: JA
Förslag på ersättare/kompatibel:
Recensioner
Det finns inga recensioner än.