BC856S – dubbeltransistor, NPN/PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-363 (SMD)

Beskrivning

Features
■ Low collector capacitance
■ Low collector-emitter saturation voltage
■ Closely matched current gain
■ Reduces number of components and board space
■ No mutual interference between the transistors

Polaritet: NPN/PNP
Spänning kollektor-emitter (V_CEO ): 65 V
Kollektorström (I_C): 100 mA
Förlusteffekt (P_Dmax): 300 mW
hFE_min: 30
hFE_max: 300
Övergångsfrekvens (f_T): 250 Mhz
Kapsel: SOT-363 (liten SMD version, SC-88)
Komplementär: –
RoHS Compliant: JA

Förslag på ersättare/kompatibel:

>> Datablad