ALLA PRISER INKL MOMS

LND150N3-G, MOSFET N-kanal, 30 mA, 500 V, 850 ohm, 0 V

5,00 kr

100 i lager

Artikelnr: TRA-LND150N3-G Kategori: Taggar: ,

Beskrivning

MOSFET

The LND150N3-G is a 500V High Voltage N-channel Depletion Mode (normally-on) Transistor utilizing lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND150 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.
  • Free from secondary breakdown
  • Low power drive requirement
  • Easy to parallel
  • Excellent thermal stability
  • Integral source-drain diode
  • High input impedance and low CISS
  • ESD gate protection

Polaritet: N
Drain-source-spänning (VDSS ) : 500 V
Drain-ström (ID): 30 mA
On-resistans (RDS (ON)) : 850 Ω
Förlusteffekt (PD): 740 mW
Kapsel: TO-92
RoHS Compliant: Ja

Datablad

Varumärke

MICROCHIP

Mer information

Vikt 0.00000000 kg

Recensioner

Det finns inga produktrecensioner än.

Bli först med att recensera “LND150N3-G, MOSFET N-kanal, 30 mA, 500 V, 850 ohm, 0 V”

Din e-postadress kommer inte publiceras. Obligatoriska fält är märkta *